北京飛鴻恒信科技有限公司供應(yīng)的富IGBT模塊主要有以下型號(hào):
1MBH60D-100
1MBI300L-060
1MBI400L-060
1MBI600L-060
1MBI600NN-060
1MBI600NP-060
1MBI600LN-060
1MBI600LP-060
1MBI600N-060
1MBI200N-060
1MBI400N-060
1MBI300N-060
1MBI300L-120
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1MBI300N-120
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1MBI300NN-120
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1MBI300NP-120
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1MBI300LN-120
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1MBI200L-120
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1MBI300NA-120
1MBI400NA-120
1MBI300SA-120
1MBI400SA-120
1MBI200S-120
1MBI200U4-120
1MBI400S-120
1MBI300S-120
1MBI600S-120
1MBI600NT-120
1MBI600PX-120
1MBI600PX-140
1MBI600P-120
1MBI600P-140
1MBI300U4-120
1MBI400U4-120
1MBI600U4-120
1MBI400V-120-50
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1MBI900V-120-50
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1MBI600U-120
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1MBI1600U4C-120
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1MBI1600U4C-170
1MBI2400U4D-170
1MBI3600U4D-170
2MBI200J-060
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2MBI50N-060
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2MBI600NTD-060
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2MBI150NC-060
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2MBI400VB-060-50
2MBI400VD-060-50
2MBI600VD-060-50
2MBI600VE-060-50
2MBI50N-120
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2MBI75UA-120
2MBI100U-120
2MBI100UA-120
2MBI100S-120
2MBI100N-120
2MBI100SC-120
2MBI150SC-120
2MBI100NE-120
2MBI100NC-120
2MBI150NE-120
2MBI150N-120
2MBI150S-120
2MBI200S-120
2MBI200N-120
2MBI150NB-120
2MBI200N-120
2MBI200S-120
2MBI200NB-120
2MBI300N-120
2MBI300S-120
2MBI300NT-120
2MBI300P-140
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2MBI150UB-120
2MBI200UB-120
2MBI200UC-120
2MBI450VN-120-50
2MBI450U4N-170-50
2MBI450VN-170-50
2MBI550VN-170-50
2MBI600VN-120-50
2MBI225U4N-120
2MBI225VN-120-50
2MBI225U4N-170-50
2MBI300U4N-120-50
2MBI300VN-120-50
在英特爾聲勢(shì)浩大的全球推動(dòng)攻勢(shì)下,Wi-Fi技術(shù)如今已成為這個(gè)春天IT市場(chǎng)上最亮的明星之一。然而,Wi-Fi技術(shù)曾被一度視為科技業(yè)余愛(ài)好者的“玩具”,但Wi-Fi的迅速崛起,除了英特爾的大力推動(dòng)外,其瞄準(zhǔn)的客戶市場(chǎng)也是如今越來(lái)越多的無(wú)固定辦公地點(diǎn)又需要隨時(shí)上網(wǎng)的商業(yè)人士,正是有了市場(chǎng)的需求,才有了Wi-Fi技術(shù)崛起和發(fā)展的空間??磥?lái),Wi-Fi技術(shù)崛起再一次應(yīng)證了那句老話,最好的技術(shù)并不是最先進(jìn)的技術(shù),而是最適用的技術(shù),技術(shù)的發(fā)展始終要以市場(chǎng)為主導(dǎo)的。 Wi-Fi技術(shù)雖然不算是先進(jìn)的,但是,其接入技術(shù)的成本優(yōu)勢(shì),使Wi-Fi具有越來(lái)越廣闊的市場(chǎng)空間。
北京飛鴻恒信科技有限公司優(yōu)價(jià)供應(yīng)日本富士IGBT模塊,歡迎來(lái)電咨詢!
富士電機(jī)是日本一家著名的半導(dǎo)體器件及機(jī)電產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè),也是全球最知名半導(dǎo)體器件廠商之一,其擁有最現(xiàn)代化及最先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)及工藝。不斷研發(fā)與創(chuàng)新,引領(lǐng)電力電子半導(dǎo)體最新技術(shù)是富士電機(jī)屹立世界半導(dǎo)體行業(yè)的根本。
IGBT模塊 X系列的優(yōu)點(diǎn)
減少電力損耗,利于節(jié)能
本公司第7代“X系列”通過(guò)薄化構(gòu)成本模塊的IGBT元件以及二極管元件的厚度,使其小型化,從而優(yōu)化元件結(jié)構(gòu)。因此,北京飛鴻恒信科技有限公司,飛鴻恒信科技,與以往產(chǎn)品相比(本公司第6代“V系列”),降低變換器運(yùn)行時(shí)的電力損耗。有利于運(yùn)載機(jī)器節(jié)能和削減電力成本。
實(shí)現(xiàn)機(jī)器的小型化
運(yùn)用新開(kāi)發(fā)的絕緣板,提高模塊的散熱性能。通過(guò)與上述(降低電力損耗)配合控制散熱,與以往制品相比,約減小36%,實(shí)現(xiàn)了小型化※ 1。另外,通過(guò)將連續(xù)運(yùn)行時(shí)芯片的最大保證溫度從150℃升到175℃,可以在保持運(yùn)載機(jī)器尺寸的同時(shí),將輸出電流最多增加35%※ 2。因此有助于機(jī)器的小型化和降低總成本。
※ 1:1200V 75A PIM 產(chǎn)品的安裝面積比
※ 2:本公司驗(yàn)算值
有助于提高機(jī)器的可靠性
修正模塊的構(gòu)造和所使用的部件,提高了高溫運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和持久性。有助于提高運(yùn)載機(jī)器的可靠性。
北京飛鴻恒信科技有限公司優(yōu)價(jià)供應(yīng)富士IGBT、可控硅、整流橋、二極管、快熔等功率模塊,品種齊全,現(xiàn)貨供應(yīng),2MBI200PB-140富士IGBT模塊,北京電子元器件、材料代理特價(jià),品質(zhì)保證,歡迎訂購(gòu)!
DCR4100W35丹尼克斯(DYNEX)模塊_優(yōu)質(zhì)電子元器件、材料代理
電動(dòng)機(jī)可變速驅(qū)動(dòng)裝置和電子計(jì)算機(jī)的備用電源裝置等電力變換器,隨著雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET的出現(xiàn),已經(jīng)起了很大的變化。這些使用交換元件的各種電力變換器也隨著近年來(lái)節(jié)能、設(shè)備小型化輕量化等要求的提高而急速地發(fā)展起來(lái)。但是,電力變換器方面的需求,并沒(méi)有通過(guò)雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET得到完全的滿足。雙極型功率晶體管模塊雖然可以得到高耐壓、大容量的元件,2MBI200PB-140富士IGBT模塊,庫(kù)存電子元器件、材料代理,但是卻有交換速度不夠快的缺陷。而功率
MOSFET雖然交換速度足夠快了,但是存在著不能得到高耐壓、大容量元件等的缺陷。
IGBT(JEDEC登錄名稱,絕緣柵雙極晶體管)正是作為順應(yīng)這種要求而開(kāi)發(fā)的,它作為一種既有功率MOSFET的高速交換功能又有雙極型晶體管的高電壓、大電流處理能力的新型元件,今后將有更大的發(fā)展?jié)摗?
1.1 電壓控制型元件IGBT的理想等效電路,正如圖 1-2所示,2MBI200PB-140富士IGBT模塊,電子元器件、材料代理,是對(duì)pnp雙極型晶體管和功率
MOSFET進(jìn)行達(dá)林頓連接后形成的單片型Bi-MOS晶體管。
因此,在門(mén)極—發(fā)射極之間外加正電壓使功率MOSFET導(dǎo)通時(shí),pnp晶體管的基極—集電極間就連接上了低電阻,從而使pnp晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
此后,使門(mén)極—發(fā)射極之間的電壓為0V時(shí),首先功率MOSFET處于斷路狀態(tài),pnp
晶體管的基極電流被切斷,從而處于斷路狀態(tài)。
如上所述,IGBT和功率MOSFET一樣,通過(guò)電壓信號(hào)可以控制開(kāi)通和關(guān)斷動(dòng)作。
富士電機(jī)電子設(shè)備技術(shù)的IGBT技術(shù)從1988年開(kāi)始產(chǎn)品化,至今一直在市場(chǎng)上供應(yīng)。圖
1-3中表現(xiàn)了從第一代到第五代IGBT產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)過(guò)程以及運(yùn)用技術(shù)。第一代至第三代的
IGBT中運(yùn)用了外延片,通過(guò)優(yōu)化生命期控制和IGBT的細(xì)微化技術(shù),進(jìn)行了特性的改善。然后,第四代和第五代產(chǎn)品通過(guò)從外延片過(guò)渡為FZ(Floating Zone)晶片,實(shí)現(xiàn)了大幅度的特性改善。就此,IGBT的設(shè)計(jì)方針與從前相比,發(fā)生了很大的轉(zhuǎn)變。
首先,運(yùn)用外延片的IGBT(第三~第四代的600V型為止的系列產(chǎn)品,被稱為“擊穿型”
)的基本設(shè)計(jì)思想如下所述。IGBT在導(dǎo)通時(shí)為了實(shí)現(xiàn)低通態(tài)電壓化,從集電極側(cè)注入大量的載流子,使IGBT內(nèi)部充滿高濃度的載流子,再加上為維持高電壓而專門(mén)設(shè)置的n緩沖層,形成很薄的n-層,從而實(shí)現(xiàn)低通態(tài)電壓。為了實(shí)現(xiàn)快速交換,也同時(shí)采用以IGBT內(nèi)充滿的載流子快速消失為目的的生命期控制技術(shù)(通過(guò)這些也能實(shí)現(xiàn)低交換損耗(Eoff))。但是,一旦運(yùn)用了生命期控制技術(shù),即使處于通常的導(dǎo)通狀態(tài),由于該技術(shù)所產(chǎn)生的效果(載流子的輸送效率下降),出現(xiàn)了通態(tài)電壓增加的問(wèn)題,而通過(guò)載流子的更進(jìn)一步高注入化可以解決這個(gè)問(wèn)題。總之,使用外延片技術(shù)的IGBT的基本設(shè)計(jì)理念可以用“高注入、低輸送效率
”簡(jiǎn)單扼要地概括出來(lái)。相對(duì)而言,使用FZ晶片的IGBT(第四代1200V以后的系列)采用了抑制來(lái)自集電極側(cè)載流子的注入,并通過(guò)降低注入效率來(lái)提高輸送效率的逆向基本設(shè)計(jì)。在前面所述的使用外延片的IGBT的設(shè)計(jì)理念產(chǎn)。
晨報(bào)訊(記者張旭光)昨天,朗訊科技公司正式宣布將在中國(guó)增加約5000萬(wàn)美元投資,以加強(qiáng)公司在中國(guó)的研發(fā)力量。據(jù)透露,這筆巨款將主要用于在中國(guó)本土雇用更多“高水準(zhǔn)的工程師與專業(yè)人才”。有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,此舉表明中國(guó)市場(chǎng)的戰(zhàn)略地位進(jìn)一步凸顯,同時(shí)也意味著“跨國(guó)公司在華搶人才”的態(tài)勢(shì)仍在加劇?! ∝悹枌?shí)驗(yàn)室一直是朗訊最強(qiáng)大的研發(fā)后盾,此次增資將極大地?cái)U(kuò)充貝爾實(shí)驗(yàn)室在中國(guó) 部分的研發(fā)實(shí)力。目前,朗訊科技(中國(guó))有限公司在中國(guó)設(shè)有八家地區(qū)辦事處、兩個(gè)貝爾實(shí)驗(yàn)室分部、四家研發(fā)中心、多家合資企業(yè)和獨(dú)資企業(yè),員工總數(shù)約3000名。
一方面巨大的中國(guó)市場(chǎng),吸引著IC產(chǎn)業(yè)資本的目光;另一方面,中國(guó)政府的鼓勵(lì)性政策促使一大批IC企業(yè)來(lái)華投資。上海、北京、深圳等地已經(jīng)逐漸形成投資集成電路的良好勢(shì)頭,區(qū)域聚集效應(yīng)日漸突出。目前天津摩托羅拉公司投資15億美元,月投2.5萬(wàn)片的8英寸生產(chǎn)線和上海中芯國(guó)際投資14億美元,月投4.2萬(wàn)片8英寸硅片項(xiàng)目已經(jīng)投入運(yùn)行;上海宏力、蘇州和艦科技、上海貝嶺、中芯環(huán)球等8英寸生產(chǎn)線也都在建設(shè)之中;此外,杭州士蘭、寧波中緯、四川樂(lè)山的6英寸生產(chǎn)線也可望在1-2年內(nèi)投產(chǎn)。
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