北京飛鴻恒信科技有限公司優(yōu)價(jià)供應(yīng)日本富士IGBT模塊,歡迎來電咨詢!
富士電機(jī)是日本一家著名的半導(dǎo)體器件及機(jī)電產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè),也是全球最知名半導(dǎo)體器件廠商之一,其擁有最現(xiàn)代化及最先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)及工藝。不斷研發(fā)與創(chuàng)新,引領(lǐng)電力電子半導(dǎo)體最新技術(shù)是富士電機(jī)屹立世界半導(dǎo)體行業(yè)的根本。
IGBT模塊 X系列的優(yōu)點(diǎn)
減少電力損耗,利于節(jié)能
本公司第7代“X系列”通過薄化構(gòu)成本模塊的IGBT元件以及二極管元件的厚度,使其小型化,從而優(yōu)化元件結(jié)構(gòu)。因此,與以往產(chǎn)品相比(本公司第6代“V系列”),降低變換器運(yùn)行時(shí)的電力損耗。有利于運(yùn)載機(jī)器節(jié)能和削減電力成本。
實(shí)現(xiàn)機(jī)器的小型化
運(yùn)用新開發(fā)的絕緣板,提高模塊的散熱性能。通過與上述(降低電力損耗)配合控制散熱,與以往制品相比,2MBI200UC-120富士IGBT模塊,電子元器件、材料代理,約減小36%,實(shí)現(xiàn)了小型化※ 1。另外,通過將連續(xù)運(yùn)行時(shí)芯片的最大保證溫度從150℃升到175℃,可以在保持運(yùn)載機(jī)器尺寸的同時(shí),將輸出電流最多增加35%※ 2。因此有助于機(jī)器的小型化和降低總成本。
※ 1:1200V 75A PIM 產(chǎn)品的安裝面積比
※ 2:本公司驗(yàn)算值
有助于提高機(jī)器的可靠性
修正模塊的構(gòu)造和所使用的部件,提高了高溫運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和持久性。有助于提高運(yùn)載機(jī)器的可靠性。
北京飛鴻恒信科技有限公司優(yōu)價(jià)供應(yīng)富士IGBT、可控硅、整流橋、二極管、快熔等功率模塊,品種齊全,現(xiàn)貨供應(yīng),品質(zhì)保證,歡迎訂購!
中新網(wǎng)北京4月16日電(記者張量)中國電子企業(yè)協(xié)會(huì)今天在此間宣布,二00三年度中國電子信息產(chǎn)業(yè)五百強(qiáng)研究及排序工作已于日前正式啟動(dòng),目前正處于等待企業(yè)反饋階段?! ≈袊娮悠髽I(yè)協(xié)會(huì)秘書長王仲臣認(rèn)為,中國電子信息產(chǎn)業(yè)亟需由“量”的膨脹向“質(zhì)”的飛躍轉(zhuǎn)變。不完全統(tǒng)計(jì)顯示,二00一年整個(gè)電子信息行業(yè)注冊企業(yè)超過數(shù)萬家,但產(chǎn)業(yè)集中度較低,2MBI200UC-120富士IGBT模塊,北京電子元器件、材料代理特價(jià),行業(yè)中存在著大量的中小企業(yè)。另一方面,與二000年相比,二00一年前五百家 企業(yè)名錄變動(dòng)較大,幾乎高達(dá)百分之二十五。
一季度較為特殊的情況是,伊拉克戰(zhàn)事和“非典”事件對企業(yè)正常經(jīng)營的影響初步顯現(xiàn),估計(jì)“非典”將在第二季度對企業(yè)的經(jīng)營產(chǎn)生較大影響,這種突發(fā)事件的出現(xiàn)是對企業(yè)管理水平的一個(gè)考驗(yàn),各企業(yè)應(yīng)從各方面做好相應(yīng)準(zhǔn)備,化解危機(jī),從不利環(huán)境中努力發(fā)掘新的市場機(jī)會(huì)。我們看到象聯(lián)想、海爾這些建立了快速響應(yīng)機(jī)制的企業(yè),已經(jīng)迅速制定了應(yīng)對措施,調(diào)整了營銷模式和產(chǎn)品戰(zhàn)略,不僅爭取將不利因素帶來的損失減少到最小,而且還在非常時(shí)期找到了新的盈利模式。聯(lián)想的網(wǎng)上銷售、電話銷售系統(tǒng)大顯身手,業(yè)務(wù)量劇增;海爾集團(tuán)積極推進(jìn)產(chǎn)品多元化,帶消毒功能的家電產(chǎn)品在當(dāng)前市場中頗受歡迎,北京飛鴻恒信科技有限公司,飛鴻恒信科技,集團(tuán)通過電子商務(wù)提供個(gè)性化服務(wù)也取得了一定成績。
電動(dòng)機(jī)可變速驅(qū)動(dòng)裝置和電子計(jì)算機(jī)的備用電源裝置等電力變換器,隨著雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET的出現(xiàn),已經(jīng)起了很大的變化。這些使用交換元件的各種電力變換器也隨著近年來節(jié)能、設(shè)備小型化輕量化等要求的提高而急速地發(fā)展起來。但是,電力變換器方面的需求,并沒有通過雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET得到完全的滿足。雙極型功率晶體管模塊雖然可以得到高耐壓、大容量的元件,但是卻有交換速度不夠快的缺陷。而功率
MOSFET雖然交換速度足夠快了,但是存在著不能得到高耐壓、大容量元件等的缺陷。
IGBT(JEDEC登錄名稱,絕緣柵雙極晶體管)正是作為順應(yīng)這種要求而開發(fā)的,它作為一種既有功率MOSFET的高速交換功能又有雙極型晶體管的高電壓、大電流處理能力的新型元件,今后將有更大的發(fā)展?jié)摗?
1.1 電壓控制型元件IGBT的理想等效電路,正如圖 1-2所示,是對pnp雙極型晶體管和功率
MOSFET進(jìn)行達(dá)林頓連接后形成的單片型Bi-MOS晶體管。
因此,在門極—發(fā)射極之間外加正電壓使功率MOSFET導(dǎo)通時(shí),pnp晶體管的基極—集電極間就連接上了低電阻,從而使pnp晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
此后,使門極—發(fā)射極之間的電壓為0V時(shí),首先功率MOSFET處于斷路狀態(tài),pnp
晶體管的基極電流被切斷,從而處于斷路狀態(tài)。
如上所述,IGBT和功率MOSFET一樣,通過電壓信號可以控制開通和關(guān)斷動(dòng)作。
富士電機(jī)電子設(shè)備技術(shù)的IGBT技術(shù)從1988年開始產(chǎn)品化,至今一直在市場上供應(yīng)。圖
1-3中表現(xiàn)了從第一代到第五代IGBT產(chǎn)品的開發(fā)過程以及運(yùn)用技術(shù)。第一代至第三代的
IGBT中運(yùn)用了外延片,通過優(yōu)化生命期控制和IGBT的細(xì)微化技術(shù),進(jìn)行了特性的改善。然后,第四代和第五代產(chǎn)品通過從外延片過渡為FZ(Floating Zone)晶片,實(shí)現(xiàn)了大幅度的特性改善。就此,IGBT的設(shè)計(jì)方針與從前相比,發(fā)生了很大的轉(zhuǎn)變。
首先,運(yùn)用外延片的IGBT(第三~第四代的600V型為止的系列產(chǎn)品,被稱為“擊穿型”
)的基本設(shè)計(jì)思想如下所述。IGBT在導(dǎo)通時(shí)為了實(shí)現(xiàn)低通態(tài)電壓化,從集電極側(cè)注入大量的載流子,使IGBT內(nèi)部充滿高濃度的載流子,再加上為維持高電壓而專門設(shè)置的n緩沖層,形成很薄的n-層,從而實(shí)現(xiàn)低通態(tài)電壓。為了實(shí)現(xiàn)快速交換,也同時(shí)采用以IGBT內(nèi)充滿的載流子快速消失為目的的生命期控制技術(shù)(通過這些也能實(shí)現(xiàn)低交換損耗(Eoff))。但是,一旦運(yùn)用了生命期控制技術(shù),即使處于通常的導(dǎo)通狀態(tài),由于該技術(shù)所產(chǎn)生的效果(載流子的輸送效率下降),2MBI200UC-120富士IGBT模塊,原裝正品電子元器件、材料代理,出現(xiàn)了通態(tài)電壓增加的問題,而通過載流子的更進(jìn)一步高注入化可以解決這個(gè)問題。總之,使用外延片技術(shù)的IGBT的基本設(shè)計(jì)理念可以用“高注入、低輸送效率
”簡單扼要地概括出來。相對而言,使用FZ晶片的IGBT(第四代1200V以后的系列)采用了抑制來自集電極側(cè)載流子的注入,并通過降低注入效率來提高輸送效率的逆向基本設(shè)計(jì)。在前面所述的使用外延片的IGBT的設(shè)計(jì)理念產(chǎn)。
本屆電子信息百強(qiáng)企業(yè)的入圍標(biāo)準(zhǔn)從上屆的5.1億元提升至7.8億元,提高幅度達(dá)53%。實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入達(dá)到5719億元,比上屆增加753億元,增長15%。本屆百強(qiáng)共實(shí)現(xiàn)利潤總額238億元,利潤總額超過1億元的企業(yè)達(dá)到45家,比上屆增加1家。本屆百強(qiáng)企業(yè)的銷售總額占全行業(yè)銷售額的比重達(dá)41%,其中前10家企業(yè)的營業(yè)收入達(dá)到3073億元,占到全行業(yè)的22%。本屆百強(qiáng)企業(yè)的利潤總額占全行業(yè)的40%,利潤排名前10家企業(yè)合計(jì)利潤130億元,占行業(yè)利潤總額的22%。本屆百強(qiáng)企業(yè)合計(jì)上交稅金191億元,占全行業(yè)73%。
北京飛鴻恒信科技有限公司供應(yīng)的富IGBT模塊主要有以下型號:
1MBH60D-100
1MBI300L-060
1MBI400L-060
1MBI600L-060
1MBI600NN-060
1MBI600NP-060
1MBI600LN-060
1MBI600LP-060
1MBI600N-060
1MBI200N-060
1MBI400N-060
1MBI300N-060
1MBI300L-120
1MBI400L-120
1MBI300N-120
1MBI400N-120
1MBI300NN-120
1MBI400NN-120
1MBI300NP-120
1MBI400NP-120
1MBI300LN-120
1MBI400LN-120
1MBI200L-120
1MBI300L-120
1MBI400L-120
1MBI300NA-120
1MBI400NA-120
1MBI300SA-120
1MBI400SA-120
1MBI200S-120
1MBI200U4-120
1MBI400S-120
1MBI300S-120
1MBI600S-120
1MBI600NT-120
1MBI600PX-120
1MBI600PX-140
1MBI600P-120
1MBI600P-140
1MBI300U4-120
1MBI400U4-120
1MBI600U4-120
1MBI400V-120-50
1MBI600V-120-50
1MBI900V-120-50
1MBI400U-120
1MBI600U-120
1MBI600U4B-120
1MBI800U4B-120
1MBI600UB-120
1MBI800UB-120
1MBI1200U4C-120
1MBI1600U4C-120
1MBI2400U4D-120
1MBI3600U4D-120
1MBI1200U4C-170
1MBI1600U4C-170
1MBI2400U4D-170
1MBI3600U4D-170
2MBI200J-060
2MBI300J-060
2MBI400J-060
2MBI50N-060
2MBI75N-060
2MBI100N-060
2MBI150N-060
2MBI150NC-060
2MBI200N-060
2MBI300N-060
2MBI400N-060
2MBI600NT-060
2MBI600U2E-060
2MBI600NTD-060
2MBI150U2A-060
2MBI200U2A-060
2MBI300U2B-060
2MBI400U2B-060
2MBI300NB-060
2MBI150NC-060
2MBI100VA-060-50
2MBI150VA-060-50
2MBI200VA-060-50
2MBI300VB-060-50
2MBI400VB-060-50
2MBI400VD-060-50
2MBI600VD-060-50
2MBI600VE-060-50
2MBI50N-120
2MBI100NB-120
2MBI200SB-120
2MBI75S-120
DCR3640W48丹尼克斯(DYNEX)模塊_優(yōu)質(zhì)電子元器件、材料代理
2MBI75U-120
2MBI75UA-120
2MBI100U-120
2MBI100UA-120
2MBI100S-120
2MBI100N-120
2MBI100SC-120
2MBI150SC-120
2MBI100NE-120
2MBI100NC-120
2MBI150NE-120
2MBI150N-120
2MBI150S-120
2MBI200S-120
2MBI200N-120
2MBI150NB-120
2MBI200N-120
2MBI200S-120
2MBI200NB-120
2MBI300N-120
2MBI300S-120
2MBI300NT-120
2MBI300P-140
2MBI300PD-120
2MBI150UA-120
2MBI150UB-120
2MBI200UB-120
2MBI200UC-120
2MBI450VN-120-50
2MBI450U4N-170-50
2MBI450VN-170-50
2MBI550VN-170-50
2MBI600VN-120-50
2MBI225U4N-120
2MBI225VN-120-50
2MBI225U4N-170-50
2MBI300U4N-120-50
2MBI300VN-120-50
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