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欣源科技（北京）有限公司多功能原子層沉積系統(tǒng) ALD (Atomic Layer Deposition)

原子層沉積ALD
ALD原子層沉積鍍膜
atomic layer 原子層沉積
Roll-to-Roll原子層沉積
Roll-to-Roll ALD 原子層沉積
Roll to Roll 原子層沉積
Roll to Roll ALD 原子層沉積
快速原子層沉積ALD
單原子層沉積ALD
氧化物原子層沉積ALD
國(guó)產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)
Thermal ALD原子層沉積
PEALD原子層沉積
PE-ALD原子層沉積
Plasma Enhanced ALD原子層沉積
等離子體增強(qiáng)ALD原子層沉積
等離子體ALD原子層沉積
多功能原子層沉積
工業(yè)級(jí)原子層沉積
熱式原子層沉積系統(tǒng)
工業(yè)量產(chǎn)及特殊定制原子層沉積系統(tǒng)
定制原子層沉積系統(tǒng)

欣源科技熱式原子層沉積系統(tǒng) (Thermal ALD)
基本技術(shù)參數(shù)
基片尺寸: 4 -12 英寸可選
樣品高度: 6 mm, 可選配更高樣品選件
基片溫度: RT-400℃，控制精度±1℃，可選配更高溫度選件
前驅(qū)體輸運(yùn)系統(tǒng): 標(biāo)準(zhǔn)2路前驅(qū)體管路，可以選配到6路以上
載氣系統(tǒng): N2或者Ar
沉積模式: 連續(xù)模式TM（FlowTM）、停流模式TM（StopFlowTM）、壓力調(diào)諧模式TM（PreTuneTM）
可選件: 手套箱，大尺寸/多片樣品夾具，欣源科技（北京）有限公司,工業(yè)量產(chǎn)及特殊定制原子層沉積系統(tǒng),欣源科技（北京）,顆粒包裹夾具，臭氧發(fā)生器，原位監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，尾氣處理系統(tǒng)，工業(yè)量產(chǎn)及特殊定制原子層沉積系統(tǒng)，客戶定制反應(yīng)腔等
沉積均勻性: Al2O3 均勻性 < /?1%
電源: 50-60Hz, 220V /15A交流電源 ,標(biāo)準(zhǔn)金屬機(jī)柜，易拆卸柜板，可調(diào)節(jié)支腳
儀器尺寸: 1100 X 600 X 1200 mm
詳細(xì)信息請(qǐng)聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司

等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) (PEALD, Plasma Enhanced ALD)
基本技術(shù)參數(shù):
基片尺寸: 4,8,12 英寸可選
基片溫度: RT-600℃，控制精度±1℃，可選配更高溫度選件
前驅(qū)體輸運(yùn)系統(tǒng): 標(biāo)準(zhǔn)3路前驅(qū)體管路，可以選配到6路以上
反應(yīng)腔: 噴淋式等離子體和前驅(qū)體進(jìn)氣口,鋁制穹頂?shù)入x子體擴(kuò)散腔
沉積模式: 熱沉積模式、等離子增強(qiáng)模式、連續(xù)模式TM （Flow TM ）、壓力調(diào)諧模式TM （PreTune TM）、單面沉積模式TM（SinglePro TM ）、離子束輔助沉積模式, 以上可選
等離子體氣源: 標(biāo)準(zhǔn)3路，可以選配到6路以上
等離子體源: ICP remote plasma 500W, 更大功率可選
基片輸運(yùn)系統(tǒng): 手動(dòng), 手動(dòng)/自動(dòng)Load lock可選
可選件: 手套箱，臭氧發(fā)生器，原位監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，尾氣處理系統(tǒng)，單面沉積模式附件, 離子束輔助沉積模式附件
沉積均勻性: Al2O3 均勻性 <±1%
儀器尺寸:1250(L)X800(W)X1800(H) mm
詳細(xì)信息請(qǐng)聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司

超高分辨率電子束曝光_高拼接套刻精度儀器儀表曝光
diaBEAM電子束焊接能量密度_進(jìn)口儀器儀表質(zhì)量測(cè)試
欣源科技（北京）有限公司多功能原子層沉積系統(tǒng) ALD (Atomic Layer Deposition) 原子層沉積ALD ALD原子層沉積鍍膜 atomic layer 原子層沉積 Roll-to-Roll原子層沉積 Roll-to-Roll ALD 原子層沉積 Roll to Roll 原子層沉積 Roll to Roll ALD 原子層沉積 快速原子層沉積ALD 單原子層沉積ALD 氧化物原子層沉積ALD 國(guó)產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng) Thermal ALD原子層沉積 PEALD原子層沉積 PE-ALD原子層沉積 Plasma Enhanced ALD原子層沉積 等離子體增強(qiáng)ALD原子層沉積 等離子體ALD原子層沉積 多功能原子層沉積 工業(yè)級(jí)原子層沉積 熱式原子層沉積系統(tǒng) 工業(yè)量產(chǎn)及特殊定制原子層沉積系統(tǒng) 定制原子層沉積系統(tǒng) 卷對(duì)卷原子層沉積系統(tǒng)(Roll-to-Roll ALD) 基本技術(shù)參數(shù): 專門為柔性材料沉積領(lǐng)域的用戶設(shè)計(jì)的原子層沉積系統(tǒng)。是基于創(chuàng)新設(shè)計(jì)的高產(chǎn)能卷對(duì)卷原子層沉積系統(tǒng)，模塊化的沉積單元可靈活配置組合以適用于不同的走帶速度和基帶寬度。該系統(tǒng)完全符合CE標(biāo)準(zhǔn)。它的操作界面直觀簡(jiǎn)單，配備多種材料的標(biāo)準(zhǔn)沉積工藝配方，使用及維護(hù)成本低。 高度集成和靈活性該系統(tǒng)適用于不同幅寬的柔性薄膜材料（典型材料PEN、PET）。50um厚度基帶可以一次完成1000m以上沉積。提供不同厚度沉積模塊供用戶選擇。設(shè)備高度集成體積2m（長(zhǎng)）X1m（寬）X1.6m（高） 控制與多種沉積模式單向沉積模式、往復(fù)沉積模式、單面沉積模式、雙面沉積模式等。可實(shí)現(xiàn)高速單、雙面沉積，以及較厚（>50nm）的薄膜沉積。 穩(wěn)定可靠與低使用維護(hù)成本腔體采用真空系統(tǒng)，結(jié)合特殊的前驅(qū)體氣路設(shè)計(jì)，把前驅(qū)體源和載氣的浪費(fèi)減少到極低。典型Al2O3沉積工藝：N2載氣流量1000sccm；每小時(shí)TMA消耗量<1g；實(shí)際使用功率：5KW。 易操作性操作界面直觀簡(jiǎn)單, 操作者很容易熟練掌握。所有參數(shù)（前驅(qū)體剩余量、沉積溫度、載氣流量，閥門狀態(tài)等）均在計(jì)算機(jī)操作界面中設(shè)定修改，整個(gè)沉積過程及狀態(tài)參數(shù)均實(shí)時(shí)顯示。 完善的安全保障包含多重安全保護(hù)機(jī)制：閥門狀態(tài)報(bào)警、溫度超限報(bào)警、前驅(qū)體源不足報(bào)警等。異常情況自動(dòng)關(guān)閉閥門、加熱電源、電機(jī)等設(shè)備防止損傷以及前驅(qū)體泄漏。 詳細(xì)信息請(qǐng)聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司 =========================== 工業(yè)量產(chǎn)及特殊定制原子層沉積系統(tǒng) 可提供針對(duì)工業(yè)量產(chǎn)的工業(yè)級(jí)原子層沉積系統(tǒng),包括標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)和特殊定制系統(tǒng)。 專門為工業(yè)化生產(chǎn)而設(shè)計(jì)的全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng), 采用了獨(dú)特的前驅(qū)體輸運(yùn)方式，可以實(shí)現(xiàn)薄膜厚度與薄膜厚度均勻性的控制。配備多種材料的標(biāo)準(zhǔn)沉積工藝配方，滿足工業(yè)應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn),?使用及維護(hù)成本低。 同時(shí)可專門為科學(xué)研究與工業(yè)用戶定制所要求的特殊原子層沉積系統(tǒng), 包括與各種其他設(shè)備的無縫連接,樣品的傳輸檢測(cè)，工業(yè)量產(chǎn)及特殊定制原子層沉積系統(tǒng)，特殊沉積工藝要求, 等等。 詳細(xì)信息請(qǐng)聯(lián)系我們 ！欣源科技（北京）有限公司 欣源科技（北京）有限公司熱式原子層沉積系統(tǒng) (Thermal ALD) 基本技術(shù)參數(shù) 基片尺寸: 4 -12?英寸可選 樣品高度: 6 mm, 可選配更高樣品選件 基片溫度: RT-400℃，控制精度±1℃，可選配更高溫度選件 前驅(qū)體輸運(yùn)系統(tǒng): 標(biāo)準(zhǔn)2路前驅(qū)體管路，可以選配到6路以上 載氣系統(tǒng): N2或者Ar 沉積模式: 連續(xù)模式TM（FlowTM）、停流模式TM（StopFlowTM）、壓力調(diào)諧模式TM（PreTuneTM） 可選件: 手套箱，大尺寸/多片樣品夾具，顆粒包裹夾具，工業(yè)量產(chǎn)及特殊定制原子層沉積系統(tǒng)，臭氧發(fā)生器，原位監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，尾氣處理系統(tǒng)，客戶定制反應(yīng)腔等 沉積均勻性: Al2O3?均勻性?< /?1% 電源: 50-60Hz, 220V /15A交流電源 ,標(biāo)準(zhǔn)金屬機(jī)柜，易拆卸柜板，可調(diào)節(jié)支腳 儀器尺寸: 1100 X 600 X 1200 mm 詳細(xì)信息請(qǐng)聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司 =========================== 等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)?(PEALD, Plasma Enhanced ALD) 基本技術(shù)參數(shù): 基片尺寸: 4,8,12 英寸可選 基片溫度: RT-600℃，控制精度±1℃，可選配更高溫度選件 前驅(qū)體輸運(yùn)系統(tǒng): 標(biāo)準(zhǔn)3路前驅(qū)體管路，可以選配到6路以上 反應(yīng)腔: 噴淋式等離子體和前驅(qū)體進(jìn)氣口,鋁制穹頂?shù)入x子體擴(kuò)散腔 沉積模式: 熱沉積模式、等離子增強(qiáng)模式、連續(xù)模式TM （Flow TM ）、壓力調(diào)諧模式TM （PreTune TM）、單面沉積模式TM（SinglePro TM ）、離子束輔助沉積模式, 以上可選 等離子體氣源: 標(biāo)準(zhǔn)3路，可以選配到6路以上 等離子體源: ICP remote plasma 500W, 更大功率可選 基片輸運(yùn)系統(tǒng): 手動(dòng), 手動(dòng)/自動(dòng)Load lock可選 可選件: 手套箱，臭氧發(fā)生器，原位監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，尾氣處理系統(tǒng)，單面沉積模式附件, 離子束輔助沉積模式附件 沉積均勻性: Al2O3 均勻性 <±1% 儀器尺寸:1250(L)X800(W)X1800(H) mm 詳細(xì)信息請(qǐng)聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司 =========================== 卷對(duì)卷原子層沉積系統(tǒng)(Roll-to-Roll ALD) 基本技術(shù)參數(shù): 專門為柔性材料沉積領(lǐng)域的用戶設(shè)計(jì)的原子層沉積系統(tǒng)。是基于創(chuàng)新設(shè)計(jì)的高產(chǎn)能卷對(duì)卷原子層沉積系統(tǒng)，模塊化的沉積單元可靈活配置組合以適用于不同的走帶速度和基帶寬度。該系統(tǒng)完全符合CE標(biāo)準(zhǔn)。它的操作界面直觀簡(jiǎn)單，配備多種材料的標(biāo)準(zhǔn)沉積工藝配方，使用及維護(hù)成本低。 高度集成和靈活性該系統(tǒng)適用于不同幅寬的柔性薄膜材料（典型材料PEN、PET）。50um厚度基帶可以一次完成1000m以上沉積。提供不同厚度沉積模塊供用戶選擇。設(shè)備高度集成體積2m（長(zhǎng)）X1m（寬）X1.6m（高） 控制與多種沉積模式單向沉積模式、往復(fù)沉積模式、單面沉積模式、雙面沉積模式等。可實(shí)現(xiàn)高速單、雙面沉積，以及較厚（>50nm）的薄膜沉積。 穩(wěn)定可靠與低使用維護(hù)成本腔體采用真空系統(tǒng)，結(jié)合特殊的前驅(qū)體氣路設(shè)計(jì)，把前驅(qū)體源和載氣的浪費(fèi)減少到極低。典型Al2O3沉積工藝：N2載氣流量1000sccm；每小時(shí)TMA消耗量<1g；實(shí)際使用功率：5KW。 易操作性操作界面直觀簡(jiǎn)單, 操作者很容易熟練掌握。所有參數(shù)（前驅(qū)體剩余量、沉積溫度、載氣流量，閥門狀態(tài)等）均在計(jì)算機(jī)操作界面中設(shè)定修改，整個(gè)沉積過程及狀態(tài)參數(shù)均實(shí)時(shí)顯示。 完善的安全保障包含多重安全保護(hù)機(jī)制：閥門狀態(tài)報(bào)警、溫度超限報(bào)警、前驅(qū)體源不足報(bào)警等。異常情況自動(dòng)關(guān)閉閥門、加熱電源、電機(jī)等設(shè)備防止損傷以及前驅(qū)體泄漏。 詳細(xì)信息請(qǐng)聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司 =========================== 工業(yè)量產(chǎn)及特殊定制原子層沉積系統(tǒng) 可提供針對(duì)工業(yè)量產(chǎn)的工業(yè)級(jí)原子層沉積系統(tǒng),包括標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)和特殊定制系統(tǒng)。 專門為工業(yè)化生產(chǎn)而設(shè)計(jì)的全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng), 采用了獨(dú)特的前驅(qū)體輸運(yùn)方式，可以實(shí)現(xiàn)薄膜厚度與薄膜厚度均勻性的控制。配備多種材料的標(biāo)準(zhǔn)沉積工藝配方，滿足工業(yè)應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn),?使用及維護(hù)成本低。 同時(shí)可專門為科學(xué)研究與工業(yè)用戶定制所要求的特殊原子層沉積系統(tǒng), 包括與各種其他設(shè)備的無縫連接,樣品的傳輸檢測(cè)，特殊沉積工藝要求, 等等。 詳細(xì)信息請(qǐng)聯(lián)系我們！欣源科技（北京）有限公司

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